一如之前预告的那样,三星在今天正式宣布了3nm工艺量产,这意味着三星在新一代工艺上抢先了台积电量产,并且首次量产GAA晶体管工艺,技术上也是全面压制了台积电,后者要到2nm节点才会用上GAA工艺。

根据三星所说,在3nm芯片上,其放弃了之前的FinFET架构,采用了新的GAA晶体管架构,大幅改善了芯片的功耗表现。

与5nm相比,第一代3nm工艺能够降低45%的功耗,减少16%的面积,并同时提升23%的性能,第二代的3nm工艺可以降低50%的功耗,提升30%的性能,同时面积减少35%,效果更好。

对于三星抢先量产3nm GAA工艺,韩国媒体及专家自己表态积极,但台湾的分析师态度就不一样了,工研院产科国际所研究总监杨瑞临认为三星就是赶鸭子上架。

之所以这么评价,杨瑞临认为GAA晶体管生态目前完全没有成熟,相关的蚀刻及测量问题还没有解决,材料、化学品也要提升。

此外,他不看好三星3nm GAA工艺的原因还跟成本有关,认为三星现在这样做会增加成本,交付期延长,良率提升慢,品控也不见得好,进而导致三星难以对客户报价,目前3nm GAA工艺只有三星自己在用,不会有外部的客户使用。